Исследователи НИТУ МИСИС, Института электрофизики УрО РАН, Института химии твердого тела УрО РАН, Центра «Высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов» им. В.Л. Гинзбурга и Института исследований твердого тела и материалов имени Лейбница (Германия) разработали методику, которая позволяет заранее прогнозировать, как будет меняться электрическое сопротивление материала в магнитном поле. Это помогает более детально изучить поведение магнитных кристаллов и проектировать компоненты для электроники с заданными характеристиками, сообщили в пресс-службе НИТУ МИСИС.
Модель проверили на слоистом антиферромагнитном материале EuSn₂As₂ — соединении европия, олова и мышьяка. Расчеты совпали с экспериментальными данными: теория правильно воспроизводит величину снижения сопротивления и его зависимость от магнитного поля.
Работа опубликована в журнале Communications Materials (Q1). Советом по физике низких температур Отделения физических наук РАН статья признана одной из пяти лучших в 2025 году.
