Базуев Г.В. Зубков В.Г. Бергер И.Ф. Арбузова Т.И. Кристаллическая структура и магнитные свойства одномерных оксидов Са3АМnОб (A=Zn, Ni) // ЖНХ. 2000. 45. С. 1204-1210.
Ивановский А.Л. Влияние дефектов на электронную структуру, химическую связь и свойства нитридов р-элементов III, IV подгрупп и материалов на их основе // Russ. J. Inorgan. Chem. 2000. V. 45. Suppl. 1. P. 1-37.. 2000. С. 1-37.
Соколов Б.К., Губернаторов В.В., Драгошанский Ю.Н., Потапов А.П., Овчинников В.В., Гаврилов Н.В., Голобородский Б.Ю., Емлин Д.Р., Михалищева Е.П.. Михайлов И.С., Ошурко Л.В. Влияние ионно-лучевой обработки на магнитные свойства магнитомягких материалов // Физика металлов и металловедение. 2000. т. 89, № 4. С. с. 32 - 42.
Зубаиров Л.Р., Литвинов Е.А., Мулюков Р.Р., Мусалимов Р.Ш., Юмагузин Ю.М. Влияние формирования субмикрокристаллической структуры на полевую электронную эмиссию никеля // ДАН. 2000. т. 372, № 3. С. с. 319.
Денисов Г.В., Новоселов Ю.Н., Ткаченко Р.М. Диссоциация оксидов азота под действием импульсного пучка электронов // Письма в ЖТФ. 2000. т. 26, в. 16. С. с. 30 - 34.
Курбатова Л.Д. Свитова А.Л. Радковский Г.В. Источник широких однородных пучков низкоэнергетичных (0,5 кэВ) газовых ионов // ПТЭ. 2000. № 1. С. с. 1 - 6.
Гусев А.И. Ремпель А.А. Нанокристаллические материалы. Москва: Наука - Физматлит, 2000. 222 с. (второе издание - Москва: Наука - Физматлит, 2001 г.). Подробнее>>
Золотухина Л.В. Слободин Б.В. Корякова О.В. Заболоцкая Е.В. Особенности формирования дефектной структуры Li1-xCo0,5xVO3 (0<=х<=0,35) при разных способах синтеза // Неорган. материалы. 2000. Т. 36. № 9. С. 1121. 2000.
Липатников В.Н. Гусев А.И. Упорядочение в карбидах титана и ванадия. Екатеринбург: УрО РАН, 2000. 264 с. Подробнее>>
Курбатова Л.Д. Свитова А.Л. Формирование пучка ионов, извлекаемых из плазмы тлеющего разряда // ЖТФ. 2000. т. 70, в. 5.
Ивановский А.Л. Софронов А.А. Макурин Ю. Н. Электронная структура и условия химической стабилизации фуллерена C28. Эндоэдральные комплексы M@C28 (M = 3d-металлы) // Ж. корд. химии. 2000. Т. 26. № 10. C. 714-719. 2000. С. 714-719.
Электронное строение, химическая связь и эффекты атомного упорядочения в многокомпонентных фазах в системе Si-Al-O-N // ДAH. 2000. Т. 374. № 4-6. C. 792-797. 2000.
Окатов С.В. Ивановский А.Л. Эффекты упорядочения и электронная структура сиалоновой керамики // Изв. ВУЗов, Физика. 2000. № 11. С. 180-185. 2000. С. 180-185.
Окатов С.В. Ивановский А.Л. Эффекты упорядочения и электронная структура сиалоновой керамики // Изв. ВУЗов, Физика. 2000. № 11. С. 180-185. 2000. С. 180-185.